2SK1119(F) - MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB

Hersteller Teilenummer

2SK1119(F)

Interne Teilenummer

AX-2SK1119(F)

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

7968 Pieces

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Technische Daten für 2SK1119(F)

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : 2SK1119(F)

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 700pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 100W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220AB

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : 2SK , 2SK11

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Datenblätter : 2SK1119(F).pdf

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