IXTU01N100D - MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251

Hersteller Teilenummer

IXTU01N100D

Interne Teilenummer

AX-IXTU01N100D

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für IXTU01N100D

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IXTU01N100D

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100mA (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 0V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 Ohm @ 50mA, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 25µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 120pF @ 25V

FET-Funktion : Depletion Mode

Verlustleistung (max.) : 1.1W (Ta), 25W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-251

Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IXT , IXTU0

Dokumente für IXTU01N100D

Datenblätter : IXTU01N100D.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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