RSJ10HN06TL - MOSFET N-CH 60V 100A LPTS

Hersteller Teilenummer

RSJ10HN06TL

Interne Teilenummer

AX-RSJ10HN06TL

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 100A LPTS

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

148435 Pieces

Referenzpreis

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Technische Daten für RSJ10HN06TL

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : RSJ10HN06TL

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 100A LPTS

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 202nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 11000pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 100W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : LPTS

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für RSJ10HN06TL

Datenblätter : RSJ10HN06TL.pdf

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