APTGT50H60T3G - POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
13064 Pieces
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Technische Daten für APTGT50H60T3G
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
APTGT50H60T3G
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
Trench Field Stop
Aufbau :
Full Bridge Inverter
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
80A
Leistung max :
176W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
1.9V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
3.15nF @ 25V
Eingang :
Standard
NTC-Thermistor :
Yes
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
SP3
Supplier Device Package :
SP3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für APTGT50H60T3G
Datenblätter :
APTGT50H60T3G.pdf
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