RCJ120N20TL - MOSFET N-CH 200V 12A LPT

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MOSFET N-CH 200V 12A LPT
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Technische Daten für RCJ120N20TL

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RCJ120N20TL
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 12A LPT
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 325 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.25V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 740pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : LPTS (SC-83)
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für RCJ120N20TL

Datenblätter : RCJ120N20TL.pdf

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