FDN338P_G - INTEGRATED CIRCUIT

Hersteller Teilenummer

FDN338P_G

Interne Teilenummer

AX-FDN338P_G

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

INTEGRATED CIRCUIT

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

17640 Pieces

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Technische Daten für FDN338P_G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDN338P_G

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : INTEGRATED CIRCUIT

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 115 mOhm @ 1.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6.2nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 451pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 500mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SuperSOT-3

Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : FDN , FDN3

Dokumente für FDN338P_G

Datenblätter : FDN338P_G.pdf

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