STW19NM60N - MOSFET N-CH 600V 13A TO-247

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MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
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Technische Daten für STW19NM60N

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : STW19NM60N
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
Serie : Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 13A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 285 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1000pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 110W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für STW19NM60N

Datenblätter : STW19NM60N.pdf

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