BSB014N04LX3GXUMA1 - MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON

Hersteller Teilenummer

BSB014N04LX3GXUMA1

Interne Teilenummer

AX-BSB014N04LX3GXUMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

475625 Pieces

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Technische Daten für BSB014N04LX3GXUMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BSB014N04LX3GXUMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 36A (Ta), 180A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 196nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 16900pF @ 20V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : MG-WDSON-2, CanPAK M™

Paket / fall : 3-WDSON

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : BSB014N04LX3GXUMA1.pdf

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