BSO330N02KGFUMA1 - MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO
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Technische Daten für BSO330N02KGFUMA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BSO330N02KGFUMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 20µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4.9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 730pF @ 10V
Leistung max : 1.4W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : PG-DSO-8
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für BSO330N02KGFUMA1
Datenblätter : BSO330N02KGFUMA1.pdf
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