FCPF400N80Z - MOSFET N-CH 800V 11A ZNR

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Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 11A ZNR
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für FCPF400N80Z

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FCPF400N80Z
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 11A ZNR
Serie : SuperFET® II
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2350pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 35.7W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220F
Paket / fall : TO-220-3 Full Pack
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für FCPF400N80Z

Datenblätter : FCPF400N80Z.pdf

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