JAN1N4150UR-1 - DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für JAN1N4150UR-1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : JAN1N4150UR-1
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
Serie : Military, MIL-PRF-19500/231
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 50V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 200mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 200mA
Geschwindigkeit : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) : 4ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100nA @ 50V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-213AA
Supplier Device Package : DO-213AA
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für JAN1N4150UR-1
Datenblätter : JAN1N4150UR-1.pdf
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