FDC8601 - MOSFET N-CH 100V TRENCH SSOT-6

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MOSFET N-CH 100V TRENCH SSOT-6
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Technische Daten für FDC8601

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDC8601
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V TRENCH SSOT-6
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 109 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 210pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.6W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SuperSOT™-6
Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für FDC8601

Datenblätter : FDC8601.pdf

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