STB14N80K5 - MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK

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MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für STB14N80K5

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : STB14N80K5
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Serie : MDmesh™ K5
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 445 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 620pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 130W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D2PAK
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : STB14N80K5.pdf

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