1N4006E-E3/54 - DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
RoHS-Status
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Technische Daten für 1N4006E-E3/54
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : 1N4006E-E3/54
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 800V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 800V
Kapazität @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package : DO-204AL (DO-41)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für 1N4006E-E3/54
Datenblätter : 1N4006E-E3/54.pdf
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