BSP315PL6327HTSA1 - MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
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MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
RoHS-Status
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Technische Daten für BSP315PL6327HTSA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BSP315PL6327HTSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
Serie : SIPMOS®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.17A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 800 mOhm @ 1.17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 160µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7.8nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 160pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.8W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-SOT223-4
Paket / fall : TO-261-4, TO-261AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für BSP315PL6327HTSA1
Datenblätter : BSP315PL6327HTSA1.pdf
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