STB160N75F3 - MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

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MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
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Technische Daten für STB160N75F3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : STB160N75F3
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Serie : STripFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 75V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 85nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6750pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 330W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D2PAK
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für STB160N75F3

Datenblätter : STB160N75F3.pdf

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