APTGTQ100A65T1G - POWER MODULE - IGBT
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
POWER MODULE - IGBT
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
18080 Pieces
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Technische Daten für APTGTQ100A65T1G
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
APTGTQ100A65T1G
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
POWER MODULE - IGBT
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
-
Aufbau :
Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
100A
Leistung max :
250W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.2V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
100µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
6nF @ 25V
Eingang :
Standard
NTC-Thermistor :
Yes
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Module
Supplier Device Package :
SP1
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für APTGTQ100A65T1G
Datenblätter :
APTGTQ100A65T1G.pdf
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