AS4C8M16S-6BINTR - IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller Teilenummer

AS4C8M16S-6BINTR

Interne Teilenummer

AX-AS4C8M16S-6BINTR

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Kurze Beschreibung

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

55008 Pieces

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Technische Daten für AS4C8M16S-6BINTR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : AS4C8M16S-6BINTR

Hersteller : Alliance Memory, Inc.

Beschreibung : IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

Speichertyp : Volatile

Speicherformat : DRAM

Technologie : SDRAM

Speichergröße : 128Mb (8M x 16)

Taktfrequenz : 166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 2ns

Zugriffszeit : 5ns

Speicherschnittstelle : Parallel

Spannungsversorgung : 3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 54-TFBGA

Supplier Device Package : 54-TFBGA (8x8)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : AS4C8 , AS4C8M16

Dokumente für AS4C8M16S-6BINTR

Datenblätter : AS4C8M16S-6BINTR.pdf

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