TPH3206LDB - GANFET N-CH 650V 16A PQFN

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GANFET N-CH 650V 16A PQFN
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Technische Daten für TPH3206LDB

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : TPH3206LDB
Hersteller : Transphorm
Beschreibung : GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 16A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 10A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 500µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6.2nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±18V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 720pF @ 480V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 81W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PQFN (8x8)
Paket / fall : 4-PowerDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : TPH , TPH32

Dokumente für TPH3206LDB

Datenblätter : TPH3206LDB.pdf

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