IXTA80N10T - MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IXTA80N10T
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
162360 Pieces
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Technische Daten für IXTA80N10T
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IXTA80N10T
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
Serie :
TrenchMV™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
60nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3040pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
230W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-263 (IXTA)
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IXTA80N10T
Datenblätter :
IXTA80N10T.pdf
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