IRF7807VD2PBF - MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
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Technische Daten für IRF7807VD2PBF
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRF7807VD2PBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Serie : FETKY™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-Funktion : Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-SO
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IRF7807VD2PBF
Datenblätter : IRF7807VD2PBF.pdf
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