MSMCJLCE11AE3 - TVS DIODE 11V 18.2V DO214AB
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Kurze Beschreibung
TVS DIODE 11V 18.2V DO214AB
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für MSMCJLCE11AE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : MSMCJLCE11AE3
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : TVS DIODE 11V 18.2V DO214AB
Serie : Military, MIL-PRF-19500
Teilestatus : Active
Art : Zener
Unidirektionale Kanäle : 1
Bidirektionale Kanäle : -
Spannung - Reverse Standoff (Typ) : 11V
Spannung - Durchschlag (min.) : 12.2V
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp : 18.2V
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) : 82A
Leistung - Spitzenimpuls : 1500W (1.5kW)
Stromleitungsschutz : No
Anwendungen : General Purpose
Kapazität bei Frequenz : 100pF @ 1MHz
Betriebstemperatur : -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-214AB, SMC
Supplier Device Package : DO-214AB (SMCJ)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für MSMCJLCE11AE3
Datenblätter : MSMCJLCE11AE3.pdf
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