IXFB210N20P - MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IXFB210N20P
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für IXFB210N20P
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXFB210N20P
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264
Serie : HiPerFET™, PolarP2™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 210A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.5 mOhm @ 105A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 255nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 18600pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1500W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PLUS264™
Paket / fall : TO-264-3, TO-264AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IXFB210N20P
Datenblätter : IXFB210N20P.pdf
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