FDME820NZT - MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET 1.6

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MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET 1.6
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Technische Daten für FDME820NZT

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDME820NZT
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET 1.6
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 865pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.1W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : MicroFet 1.6x1.6 Thin
Paket / fall : 6-PowerUFDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für FDME820NZT

Datenblätter : FDME820NZT.pdf

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