IPD80R4K5P7ATMA1 - MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK
RoHS-Status
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Technische Daten für IPD80R4K5P7ATMA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPD80R4K5P7ATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK
Serie : CoolMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 80pF @ 500V
FET-Funktion : Super Junction
Verlustleistung (max.) : 13W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-252
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IPD80R4K5P7ATMA1
Datenblätter : IPD80R4K5P7ATMA1.pdf
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