IRFB3207ZGPBF - MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB

Hersteller Teilenummer

IRFB3207ZGPBF

Interne Teilenummer

AX-IRFB3207ZGPBF

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

151815 Pieces

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Technische Daten für IRFB3207ZGPBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRFB3207ZGPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB

Serie : HEXFET®

Teilestatus : Not For New Designs

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 75V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.1 mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 150µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 170nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6920pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 300W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220AB

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IRFB3207ZGPBF

Datenblätter : IRFB3207ZGPBF.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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MC04YC223KAA	AVX Corporation	CAP CER 0.022UF 16V X7R AXIAL.
WI140376WP10336BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 20KV SCREW.
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