NDD60N745U1-1G - MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-4

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MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-4
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Technische Daten für NDD60N745U1-1G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NDD60N745U1-1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-4
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 745 mOhm @ 3.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 440pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 84W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : I-PAK
Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für NDD60N745U1-1G

Datenblätter : NDD60N745U1-1G.pdf

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