BSO200P03SNTMA1 - MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
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Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
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Technische Daten für BSO200P03SNTMA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BSO200P03SNTMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 9.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 54nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2330pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.56W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-DSO-8
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für BSO200P03SNTMA1
Datenblätter : BSO200P03SNTMA1.pdf
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