NSB8JT-E3/81 - DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Hersteller Teilenummer

NSB8JT-E3/81

Interne Teilenummer

AX-NSB8JT-E3/81

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

716035 Pieces

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Technische Daten für NSB8JT-E3/81

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : NSB8JT-E3/81

Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division

Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Serie : -

Teilestatus : Active

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 8A

Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : -

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F : 55pF @ 4V, 1MHz

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Supplier Device Package : TO-263AB

Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : NSB8 , NSB8JT

Dokumente für NSB8JT-E3/81

Datenblätter : NSB8JT-E3/81.pdf

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