MT47H128M4CB-5E:B TR - IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
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Kurze Beschreibung
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für MT47H128M4CB-5E:B TR
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : MT47H128M4CB-5E:B TR
Hersteller : Micron Technology Inc.
Beschreibung : IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - DDR2
Speichergröße : 512Mb (128M x 4)
Taktfrequenz : 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns
Zugriffszeit : 600ps
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur : 0°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 60-FBGA
Supplier Device Package : 60-FBGA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für MT47H128M4CB-5E:B TR
Datenblätter : MT47H128M4CB-5E:B TR.pdf
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