GSID150A120T2C1 - SILICON IGBT MODULES
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Hersteller
Kurze Beschreibung
SILICON IGBT MODULES
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für GSID150A120T2C1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : GSID150A120T2C1
Hersteller : Global Power Technologies Group
Beschreibung : SILICON IGBT MODULES
Serie : Amp+™
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : -
Aufbau : Three Phase Inverter
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 285A
Leistung max : 1087W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 150A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 21.2nF @ 25V
Eingang : Three Phase Bridge Rectifier
NTC-Thermistor : Yes
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für GSID150A120T2C1
Datenblätter : GSID150A120T2C1.pdf
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