SIZ988DT-T1-GE3 - MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für SIZ988DT-T1-GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SIZ988DT-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 40A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 10A, 10V, 4.1 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V
Leistung max : 20.2W, 40W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerWDFN
Supplier Device Package : 8-PowerPair®
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SIZ988DT-T1-GE3
Datenblätter : SIZ988DT-T1-GE3.pdf
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