MT41K512M8V90BWC1 - IC DRAM 4G PARALLEL

Hersteller Teilenummer

MT41K512M8V90BWC1

Interne Teilenummer

AX-MT41K512M8V90BWC1

Hersteller

Micron Technology Inc.

Kurze Beschreibung

IC DRAM 4G PARALLEL

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

5256 Pieces

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Technische Daten für MT41K512M8V90BWC1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : MT41K512M8V90BWC1

Hersteller : Micron Technology Inc.

Beschreibung : IC DRAM 4G PARALLEL

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

Speichertyp : Volatile

Speicherformat : DRAM

Technologie : SDRAM - DDR3L

Speichergröße : 4Gb (512M x 8)

Taktfrequenz : -

Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -

Zugriffszeit : -

Speicherschnittstelle : Parallel

Spannungsversorgung : 1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur : 0°C ~ 95°C (TC)

Befestigungsart : -

Paket / fall : -

Supplier Device Package : -

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : MT41K , MT41K512

Dokumente für MT41K512M8V90BWC1

Datenblätter : MT41K512M8V90BWC1.pdf

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WI085215WJ10238BH1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 14KV SCREW.
WF135250WL50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 16KV SCREW.
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PEF220BJ70238BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7000PF 15KV R230 DISK.
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