MT41K512M8V90BWC1 - IC DRAM 4G PARALLEL
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IC DRAM 4G PARALLEL
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
5256 Pieces
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Technische Daten für MT41K512M8V90BWC1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
MT41K512M8V90BWC1
Hersteller :
Micron Technology Inc.
Beschreibung :
IC DRAM 4G PARALLEL
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
Speichertyp :
Volatile
Speicherformat :
DRAM
Technologie :
SDRAM - DDR3L
Speichergröße :
4Gb (512M x 8)
Taktfrequenz :
-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite :
-
Zugriffszeit :
-
Speicherschnittstelle :
Parallel
Spannungsversorgung :
1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur :
0°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart :
-
Paket / fall :
-
Supplier Device Package :
-
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für MT41K512M8V90BWC1
Datenblätter :
MT41K512M8V90BWC1.pdf
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