TK39N60W,S1VF - MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
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Kurze Beschreibung
MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
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Technische Daten für TK39N60W,S1VF
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
TK39N60W,S1VF
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
Serie :
DTMOSIV
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
38.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
65 mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 1.9mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
110nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4100pF @ 300V
FET-Funktion :
Super Junction
Verlustleistung (max.) :
270W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247
Paket / fall :
TO-247-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für TK39N60W,S1VF
Datenblätter :
TK39N60W,S1VF.pdf
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