FDS3601 - MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC

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MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
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Technische Daten für FDS3601

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDS3601
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 480 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 153pF @ 50V
Leistung max : 900mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SOIC
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für FDS3601

Datenblätter : FDS3601.pdf

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