SE10FJ-M3/I - DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-SE10FJ-M3/I
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
6989635 Pieces
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Technische Daten für SE10FJ-M3/I
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SE10FJ-M3/I
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.05V @ 1A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 780ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : 7.5pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-219AB
Supplier Device Package : DO-219AB (SMF)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SE10FJ-M3/I
Datenblätter : SE10FJ-M3/I.pdf
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