DMN10H220L-7 - MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23

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MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23
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Technische Daten für DMN10H220L-7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMN10H220L-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 220 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 401pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.3W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-23
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für DMN10H220L-7

Datenblätter : DMN10H220L-7.pdf

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