STB4NK60Z-1 - MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-STB4NK60Z-1
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
246105 Pieces
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Technische Daten für STB4NK60Z-1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
STB4NK60Z-1
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
Serie :
SuperMESH™
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
26nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
510pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
70W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
I2PAK
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für STB4NK60Z-1
Datenblätter :
STB4NK60Z-1.pdf
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