DMG5802LFX-7 - MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-DMG5802LFX-7
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
RoHS-Status
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Technische Daten für DMG5802LFX-7
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMG5802LFX-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 24V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 31.3nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1066.4pF @ 15V
Leistung max : 980mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-VFDFN Exposed Pad
Supplier Device Package : W-DFN5020-6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für DMG5802LFX-7
Datenblätter : DMG5802LFX-7.pdf
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