HERAF1007G C0G - DIODE GEN PURP 800V 10A ITO220AC
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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 800V 10A ITO220AC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für HERAF1007G C0G
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : HERAF1007G C0G
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 800V 10A ITO220AC
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 800V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 10A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 80ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 800V
Kapazität @ Vr, F : 60pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-220-2 Full Pack
Supplier Device Package : ITO-220AC
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für HERAF1007G C0G
Datenblätter : HERAF1007G C0G.pdf
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