FMM110-015X2F - MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für FMM110-015X2F
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
FMM110-015X2F
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC
Serie :
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
150V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
53A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
150nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
8600pF @ 25V
Leistung max :
180W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
i4-Pac™-5
Supplier Device Package :
ISOPLUS i4-PAC™
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für FMM110-015X2F
Datenblätter :
FMM110-015X2F.pdf
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