FMM110-015X2F - MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC
RoHS-Status
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Technische Daten für FMM110-015X2F
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FMM110-015X2F
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC
Serie : GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 150V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 53A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 150nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 8600pF @ 25V
Leistung max : 180W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : i4-Pac™-5
Supplier Device Package : ISOPLUS i4-PAC™
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für FMM110-015X2F
Datenblätter : FMM110-015X2F.pdf
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