SQ1912EH-T1_GE3 - MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für SQ1912EH-T1_GE3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SQ1912EH-T1_GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
280 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
1.15nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
75pF @ 10V
Leistung max :
1.5W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package :
SC-70-6
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SQ1912EH-T1_GE3
Datenblätter :
SQ1912EH-T1_GE3.pdf
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