DMN65D8LFB-7 - MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Hersteller Teilenummer

DMN65D8LFB-7

Interne Teilenummer

AX-DMN65D8LFB-7

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

7288135 Pieces

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Technische Daten für DMN65D8LFB-7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMN65D8LFB-7

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 260mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 115mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 25pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 430mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : X1-DFN1006-3

Paket / fall : 3-UFDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für DMN65D8LFB-7

Datenblätter : DMN65D8LFB-7.pdf

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