2N7002-G - MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23-3

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MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23-3
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Technische Daten für 2N7002-G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : 2N7002-G
Hersteller : Microchip Technology
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23-3
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 115mA (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 360mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-23 (TO-236AB)
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : 2N7002-G.pdf

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