KLUDG8J1ZD-B0CQ - UFS 2.1 128 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 105 °C Mass Production
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Kurze Beschreibung
UFS 2.1 128 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 105 °C Mass Production
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Technische Daten für KLUDG8J1ZD-B0CQ
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : KLUDG8J1ZD-B0CQ
Hersteller : Samsung Semiconductor
Beschreibung : UFS 2.1 128 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 105 °C Mass Production
Serie : DDR3
Ausführung : UFS 2.1
Dichte : 128 GB
Stromspannung : 1.8 / 3.3 V
Schnittstelle : G3 2Lane
Packungsgrösse : 11.5 x 13 x 1.2 mm
Temp. : -40 ~ 105 °C
Produckstatus : Mass Production
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für KLUDG8J1ZD-B0CQ
Datenblätter : KLUDG8J1ZD-B0CQ.pdf
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