JANTXV1N649-1 - DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
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Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
21693 Pieces
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Technische Daten für JANTXV1N649-1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
JANTXV1N649-1
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
Serie :
Military, MIL-PRF-19500/240
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
400mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1V @ 400mA
Geschwindigkeit :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
50nA @ 600V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package :
DO-35
Betriebstemperatur - Übergang :
-65°C ~ 175°C
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für JANTXV1N649-1
Datenblätter :
JANTXV1N649-1.pdf
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