IRG7CH37K10EF - IGBT CHIP WAFER
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IGBT CHIP WAFER
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
215175 Pieces
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Technische Daten für IRG7CH37K10EF
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IRG7CH37K10EF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
IGBT CHIP WAFER
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
-
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
15A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
-
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.3V @ 15V, 15A
Leistung max :
-
Energie wechseln :
-
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
80nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
28ns/122ns
Testbedingung :
600V, 15A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
Die
Supplier Device Package :
Die
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IRG7CH37K10EF
Datenblätter :
IRG7CH37K10EF.pdf
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