PTAB182002TCV2R250XTMA1 - IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4

Hersteller Teilenummer

PTAB182002TCV2R250XTMA1

Interne Teilenummer

AX-PTAB182002TCV2R250XTMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für PTAB182002TCV2R250XTMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : PTAB182002TCV2R250XTMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

Transistortyp : LDMOS

Frequenz : 1.805GHz ~ 1.88GHz

Gewinnen : 14.8dB

Spannungs - Test : 28V

Aktuelle Bewertung : 10µA

Rauschzahl : -

Aktueller Test : 520mA

Leistung : 29W

Spannung - bewertet : 65V

Paket / fall : H-49248H-4

Supplier Device Package : H-49248H-4

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für PTAB182002TCV2R250XTMA1

Datenblätter : PTAB182002TCV2R250XTMA1.pdf

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