PTAB182002TCV2R250XTMA1 - IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
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Kurze Beschreibung
IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für PTAB182002TCV2R250XTMA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : PTAB182002TCV2R250XTMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
Transistortyp : LDMOS
Frequenz : 1.805GHz ~ 1.88GHz
Gewinnen : 14.8dB
Spannungs - Test : 28V
Aktuelle Bewertung : 10µA
Rauschzahl : -
Aktueller Test : 520mA
Leistung : 29W
Spannung - bewertet : 65V
Paket / fall : H-49248H-4
Supplier Device Package : H-49248H-4
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : PTAB182 , PTAB182002T
Dokumente für PTAB182002TCV2R250XTMA1
Datenblätter : PTAB182002TCV2R250XTMA1.pdf
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