IRLR3303PBF - MOSFET N-CH 30V 35A DPAK

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Interne Teilenummer
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MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
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Technische Daten für IRLR3303PBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRLR3303PBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 31 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 870pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 68W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D-Pak
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IRLR3303PBF

Datenblätter : IRLR3303PBF.pdf

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