DMTH10H025LK3Q-13 - MOSFET BVDSS 61V-100V TO252 TR

Hersteller Teilenummer

DMTH10H025LK3Q-13

Interne Teilenummer

AX-DMTH10H025LK3Q-13

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET BVDSS 61V-100V TO252 TR

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

918455 Pieces

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Technische Daten für DMTH10H025LK3Q-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMTH10H025LK3Q-13

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET BVDSS 61V-100V TO252 TR

Serie : Automotive, AEC-Q101

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 51.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1477pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3.1W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-252, (D-Pak)

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für DMTH10H025LK3Q-13

Datenblätter : DMTH10H025LK3Q-13.pdf

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